林博士除了在1975年做出了深紫外线(duv)以外,还创造出了包括1微米、075微米、05微米在内的好几项光刻技术。
    当然,最厉害的是他在1986年提出的关于浸润式微影技术的想法,目前世界上只有他的技术叫‘浸润式’,就是水泡着的那个‘浸润’,其他的技术全都是没有水的‘干式微影技术’。
    我跟你说,浸润式才是以后的大势所趋,现在世界上才刚出第二代i线光刻机,暂时还看不出。
    等发展到第三代duv光刻机、还有第四代euv光刻机的时候,全世界必须采用林博士的浸润式技术,除此以外,别的路都行不通。
    所以我才说,有了林博士,我们能领先世界三十年。”
    赵德彬的形容一点也不夸张,林本间是深紫外线duv的发明人,而后世中夏想买也买不到的极紫外线euv光刻机,也是基于林本间的‘浸润式光刻技术’研制出来的。
    在赵德彬的世界当中,目前,光刻机光源波长在止步于193纳米上,再也没有办法下降,但摩尔定律要继续发展,193纳米这个瓶颈必须要打破。
    这是因为,光刻机的光就像刻刀一样在硅片上雕刻电路,当你的芯片越来越小,你的刻刀也必须变小变薄,这就跟不能拿屠龙刀在米粒上雕花是一个道理。
    不过,在1991年还不用太愁这个事,目前,实验室里的最先进的芯片制程是05微米,也就是500纳米,而193纳米光源波长的极限是在65纳米的制程以下,这中间少说还有十来年的时间可以想办法。
    于是,整个90年代,搞光刻机的最顶尖那撮人,就为了这事犯愁,大家八仙过海、各显神通,捣鼓了好几年,总算是在90年代末期形成了两个路子:
    霓康等巨头主张在193纳米的基础上,采用157纳米的f2激光;
    而刚成立的euvllc联盟口气很大,一上来就要搞euv技术,用仅有135纳米的极紫外光解决这个问题。
    这两个方法都很难,但第二个方法基本上就是吹牛逼,对比之下,还是第一个方法靠谱,所以,大家都把希望寄托在157纳米的波长上面,很多公司都投入了重金搞研发,希望能早点做出157纳米的波长抢占市场。
    虽然行业中已经达成了共识,但林本间却不这么想。
    早在1986年,林本间在研究中发现,当前的微影技术已经进入了瓶颈,很难再向下发展,他提出了一个“浸润微影技术”
    ,并在这个技术上研究了多年。
    林本间认为,既然157纳米的波长难做,那干脆就不做,只需要维持着193纳米的波长,在镜头和光刻胶之间加一层水,经过水的折射,光线波长就可以从193纳米变成132纳米,一举突破157纳米的天堑。
    这层水,也就是“浸润”

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